מספר מוצר של יצרן:
IPI05CN10N G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI05CN10N G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12805852
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI05CN10N G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
181 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
12000 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI05C
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000208922
IPI05CN10N G-DG
SP000680664
IPI05CN10NG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS7537PBF
MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
IRLR8729PBF
MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
IRL3705NSTRL
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
